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IRF8915TRPBF  与  BSO220N03MD G  区别

型号 IRF8915TRPBF BSO220N03MD G
唯样编号 A-IRF8915TRPBF A-BSO220N03MD G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 20 V 2 W 7.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 18.3mΩ@8.9A,10V 18.3mΩ
上升时间 - 2.8ns
Qg-栅极电荷 - 10nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 9S
封装/外壳 8-SO -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.9A 7.7A
配置 - Dual
长度 - 4.9mm
下降时间 - 3.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 10V 800pF @ 15V
高度 - 1.75mm
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
典型关闭延迟时间 - 6.4ns
FET类型 N-Channel 2N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3M
通道数量 - 2Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 5.7ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V 10nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8915TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 18.3mΩ@8.9A,10V 2W N-Channel 20V 8.9A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
BSO220N03MDGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO220N03MD G_2 N-通道(双) 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSO220N03MD G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO220N03MDGXUMA1_-55°C~150°C(TJ) 7.7A 18.3mΩ 20V 2W 2N-Channel 30V

暂无价格 0 对比
IRF8915 Infineon  数据手册 功率MOSFET

20V 8.9A 18.3mΩ@8.9A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SO

暂无价格 0 对比

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